BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.77 грн |
| 10+ | 78.25 грн |
| 100+ | 61.03 грн |
| 500+ | 47.31 грн |
| 1000+ | 37.35 грн |
| 2000+ | 34.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V.
Інші пропозиції BSZ033NE2LS5ATMA1 за ціною від 31.63 грн до 105.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 28976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 18A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSZ033NE2LS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 12 V |
товар відсутній |