Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ036NE2LSATMA1
BSZ036NE2LSATMA1

BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz036ne2ls-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 16A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ036NE2LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V.

Інші пропозиції BSZ036NE2LSATMA1 за ціною від 21.87 грн до 60.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+23.86 грн
10000+ 21.92 грн
25000+ 21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ036NE2LS_DataSheet_v02_04_EN-3361112.pdf MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
на замовлення 13353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.65 грн
10+ 36.07 грн
100+ 26.57 грн
500+ 23.91 грн
1000+ 21.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 Description: MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12 V
на замовлення 63827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.51 грн
10+ 47.73 грн
100+ 37.12 грн
500+ 29.53 грн
1000+ 24.05 грн
2000+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ036NE2LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ036NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed92706043869 BSZ036NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній