Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ039N06NSATMA1
BSZ039N06NSATMA1

BSZ039N06NSATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz039n06ns-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 18A T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ039N06NSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSZ039N06NSATMA1 за ціною від 49.17 грн до 115.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ039N06NSATMA1 BSZ039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ039N06NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53c25c8e532d Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.26 грн
10+ 100.45 грн
25+ 89.65 грн
100+ 75.73 грн
250+ 67.32 грн
500+ 58.9 грн
1000+ 49.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ039N06NSATMA1 BSZ039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ039N06NS_DataSheet_v02_01_EN-1840492.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
BSZ039N06NSATMA1 BSZ039N06NSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ039N06NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a53c25c8e532d Description: MOSFET N-CH 60V 18A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 30 V
товар відсутній