Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0500NSIATMA1
BSZ0500NSIATMA1

BSZ0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd7c2c2163ad Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0500NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ0500NSIATMA1 за ціною від 59.57 грн до 170.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ0500NSIATMA1 BSZ0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0500NSI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014efd7c2c2163ad Description: MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+146.23 грн
10+ 116.95 грн
100+ 93.07 грн
500+ 73.9 грн
1000+ 62.71 грн
2000+ 59.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSZ0500NSIATMA1 BSZ0500NSIATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ0500NSI_DataSheet_v02_02_EN-3361008.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 310-319 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.15 грн
10+ 147.8 грн
100+ 107.88 грн
250+ 104.55 грн
500+ 90.57 грн
1000+ 74.58 грн
2500+ 70.59 грн
Мінімальне замовлення: 2