Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ058N03LSGATMA1
BSZ058N03LSGATMA1

BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies

bsz058n03lsg_rev1.1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ058N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 3, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 40A, Power dissipation: 48W, Case: PG-TSDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 5.8mΩ, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5000 шт.

Інші пропозиції BSZ058N03LSGATMA1 за ціною від 20.58 грн до 47.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ058N03LS_G_DataSheet_v02_02_EN-3361157.pdf MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.7 грн
10+ 46.72 грн
100+ 33.16 грн
500+ 28.1 грн
1000+ 22.91 грн
2500+ 22.04 грн
5000+ 20.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ058N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ058N03LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d3fa0a7e03f2 Description: MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
товар відсутній
BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03LSGATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ058N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній