BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 16.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ065N03LSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSZ065N03LSATMA1 за ціною від 19.58 грн до 71.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ065N03LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ065N03LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ065N03LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V |
на замовлення 20946 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ065N03LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS |
на замовлення 685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ065N03LSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ065N03LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0054 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ065N03LSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BSZ065N03LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 26W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSZ065N03LSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 26W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Power dissipation: 26W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |