BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 16.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ068N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 46W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSZ068N06NSATMA1 за ціною від 28.94 грн до 99.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 46W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V |
на замовлення 6770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 30990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ068N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0056 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 63A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| BSZ068N06NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ068N06NSATMA1 SMD N channel transistors |
товар відсутній |