Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ0704LSATMA1
BSZ0704LSATMA1

BSZ0704LSATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSZ0704LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b9036f31424 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.17 грн
10000+ 19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ0704LSATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V.

Інші пропозиції BSZ0704LSATMA1 за ціною від 12.59 грн до 64.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ0704LSATMA1 BSZ0704LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0704LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b9036f31424 Description: MOSFET N-CH 60V 11A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 30 V
на замовлення 13998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.07 грн
10+ 49.81 грн
100+ 38.2 грн
500+ 28.34 грн
1000+ 22.67 грн
2000+ 20.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0704LSATMA1 BSZ0704LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ0704LS-DataSheet-v02_01-EN-1825612.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 44915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.25 грн
10+ 56.36 грн
100+ 37.56 грн
500+ 29.77 грн
1000+ 23.77 грн
2500+ 21.51 грн
5000+ 19.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSZ0704LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz0704ls-datasheet-v02_01-en.pdf SP001614102
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 5000