BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 26.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V.
Інші пропозиції BSZ075N08NS5ATMA1 за ціною від 41.11 грн до 101.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ075N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ075N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 |
на замовлення 73638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ075N08NS5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2080 pF @ 40 V |
на замовлення 61266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSZ075N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Power dissipation: 69W кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| BSZ075N08NS5ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 5 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Power dissipation: 69W |
товар відсутній |