BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 17.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ086P03NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSZ086P03NS3GATMA1 за ціною від 21.39 грн до 75.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSZ086P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 105µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4785 pF @ 15 V |
на замовлення 6019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 418-427 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 13.5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ P3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSZ086P03NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -40A; 52W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ P3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Drain current: -40A Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 8.6mΩ |
товар відсутній |