Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ088N03LS G
BSZ088N03LS G

BSZ088N03LS G Infineon Technologies

Infineon_BSZ088N03LS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360937.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.15 грн
10+ 53.22 грн
100+ 32.1 грн
500+ 26.84 грн
1000+ 20.31 грн
5000+ 19.11 грн
10000+ 18.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ088N03LS G Infineon Technologies

Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції BSZ088N03LS G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ088N03LS G Виробник : Infineon
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ088N03LSG Виробник : infineon INFNS16425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 08+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ088N03LSG Виробник : Infineon technologies INFNS16425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BSZ088N03LS G
Код товару: 177892 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
BSZ088N03LSG BSZ088N03LSG Виробник : Infineon Technologies INFNS16425-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BSZ088N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
товар відсутній