BSZ088N03LSGATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 16.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ088N03LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSZ088N03LSGATMA1 за ціною від 19.7 грн до 56.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ088N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSZ088N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V |
на замовлення 7180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSZ088N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
BSZ088N03LSGATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BSZ088N03LSGATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Drain current: 40A Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.8mΩ |
товар відсутній |