Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ096N10LS5ATMA1
BSZ096N10LS5ATMA1

BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsz096n10ls5-datasheet-v02_03-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V.

Інші пропозиції BSZ096N10LS5ATMA1 за ціною від 48.94 грн до 136.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz096n10ls5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf Description: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
на замовлення 10447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.3 грн
10+ 96.08 грн
100+ 76.46 грн
500+ 60.72 грн
1000+ 51.52 грн
2000+ 48.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSZ096N10LS5_DataSheet_v02_03_EN-3361073.pdf MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 36318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.52 грн
10+ 101.85 грн
100+ 74.58 грн
250+ 72.59 грн
500+ 62.53 грн
1000+ 50.48 грн
2500+ 50.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz096n10ls5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
86+136.91 грн
95+ 124.02 грн
116+ 101.19 грн
200+ 91.56 грн
1000+ 75.12 грн
2000+ 67.26 грн
Мінімальне замовлення: 86
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz096n10ls5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsz096n10ls5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 160A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8FL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSZ096N10LS5ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSZ096N10LS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e6c1828027cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 39A; Idm: 160A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8FL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній