BSZ0994NSATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 22.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ0994NSATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V.
Інші пропозиції BSZ0994NSATMA1 за ціною від 20.91 грн до 67.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ0994NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-25 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ0994NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ0994NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ0994NSATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSZ0994NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.1W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Power dissipation: 2.1W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ0994NSATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.1W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Power dissipation: 2.1W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |