BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 22.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 66, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66, Bauform - Transistor: PG-TSDSON, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSZ123N08NS3GATMA1 за ціною від 36.53 грн до 127 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V |
на замовлення 52428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 27048 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 40 A, 0.0103 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 66 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 66 Bauform - Transistor: PG-TSDSON Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 12.3mΩ кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ123N08NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 66W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TSDSON-8 Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 40A On-state resistance: 12.3mΩ |
товар відсутній |