Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.13 грн
10+ 78.94 грн
100+ 61.37 грн
500+ 48.82 грн
1000+ 39.77 грн
2000+ 37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSZ12DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.

Інші пропозиції BSZ12DN20NS3GATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a BSZ12DN20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies bsz12dn20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 11.3A 8-Pin TSDSON EP T/R
товар відсутній
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSZ12DN20NS3+Rev2.2.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b15920ed91a5a Description: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
товар відсутній