BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 55.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ16DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA, Supplier Device Package: PG-TSDSON-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V.
Інші пропозиції BSZ16DN25NS3GATMA1 за ціною від 57.6 грн до 153.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 6078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.9A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 10.9A On-state resistance: 0.165Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |