BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 37.02 грн |
| 10000+ | 34.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ42DN25NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33.8W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSZ42DN25NS3GATMA1 за ціною від 34.43 грн до 124.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V |
на замовлення 22581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 28997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ42DN25NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.371 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 33.8W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.371ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.371ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 9465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BSZ42DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 5A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 5A On-state resistance: 0.425Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33.8W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 33.8W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSDSON-8 Drain-source voltage: 250V Drain current: 5A On-state resistance: 0.425Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33.8W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |