BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 26.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ900N15NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSZ900N15NS3GATMA1 за ціною від 25.68 грн до 107.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A Power dissipation: 38W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13A; 38W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 13A Power dissipation: 38W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4060 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 18115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ900N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 13 A, 0.074 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 75 V |
на замовлення 13677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 13A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |