BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 51.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSZ900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TSDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSZ900N20NS3GATMA1 за ціною від 53.15 грн до 161.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSONPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 62.5W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 24720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 200V 15.2A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 2006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSZ900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.077 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TSDSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| BSZ900N20NS3GATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors |
товар відсутній |