BTS132E3045ANTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-5
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 71+ | 286.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BTS132E3045ANTMA1 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 75W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-5, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BTS132E3045ANTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BTS132E3045ANTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) TO-220AB SMD T/R |
товар відсутній |