Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BTS132E3129NKSA1
BTS132E3129NKSA1

BTS132E3129NKSA1 Infineon Technologies

INFNS05886-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS132 - N-CHANNEL TEMPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
62+329.98 грн
Мінімальне замовлення: 62
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BTS132E3129NKSA1 Infineon Technologies

Description: BTS132 - N-CHANNEL TEMPFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 75W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BTS132E3129NKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BTS132E3129NKSA1 BTS132E3129NKSA1 Виробник : Infineon Technologies bts132.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
товар відсутній