BUK661R8-30C,118 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 245+ | 88.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUK661R8-30C,118 NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10918 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUK661R8-30C,118
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BUK661R8-30C,118 | Виробник : Nexperia |
MOSFET N-CHAN 30V 120A |
товар відсутній |