BXE75T60HFHD BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 156W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 430nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 185ns
Turn-off time: 391ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXE75T60HFHD BRIDGELUX
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 156W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 75A, Power dissipation: 156W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 300A, Mounting: THT, Gate charge: 430nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 185ns, Turn-off time: 391ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXE75T60HFHD
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BXE75T60HFHD | Виробник : BRIDGELUX |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 156W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 156W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 430nC Kind of package: tube Turn-on time: 185ns Turn-off time: 391ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |