BXP16N65F BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 43W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXP16N65F BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 10.1A, Pulsed drain current: 64A, Power dissipation: 43W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.56Ω, Mounting: THT, Gate charge: 35nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1000 шт.
Інші пропозиції BXP16N65F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXP16N65F | Виробник : BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; Idm: 64A; 43W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.1A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 43W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |