BXP7N65U BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 145W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXP7N65U BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO251, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 3.9A, Pulsed drain current: 28A, Power dissipation: 145W, Case: TO251, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.4Ω, Mounting: THT, Gate charge: 21nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXP7N65U
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXP7N65U | Виробник : BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.9A; Idm: 28A; 145W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 145W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 21nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |