BXP8N50D BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXP8N50D BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 5.3A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 100W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 25nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXP8N50D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BXP8N50D | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.3A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 100W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |