BXS1150N10M BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
On-state resistance: 0.15Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 15.6A
Power dissipation: 2.5W
Mounting: SMD
Case: SOT23-3
на замовлення 3830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 30.71 грн |
25+ | 14.12 грн |
36+ | 9.9 грн |
100+ | 7.07 грн |
250+ | 3.53 грн |
392+ | 2.05 грн |
1078+ | 1.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXS1150N10M BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 2.6A, On-state resistance: 0.15Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 16.3nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 15.6A, Power dissipation: 2.5W, Mounting: SMD, Case: SOT23-3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXS1150N10M за ціною від 2.32 грн до 36.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BXS1150N10M | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.6A On-state resistance: 0.15Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 16.3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 15.6A Power dissipation: 2.5W Mounting: SMD Case: SOT23-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|