BXT030N03C BRIDGELUX


BXT030N03C.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN56
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44.6W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT030N03C BRIDGELUX

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: PDFN56, Gate charge: 66nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 360A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 59A, On-state resistance: 6.5mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 44.6W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції BXT030N03C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BXT030N03C Виробник : BRIDGELUX BXT030N03C.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 59A; Idm: 360A; 44.6W; PDFN56
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN56
Gate charge: 66nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 59A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 44.6W
товар відсутній