BXT090N06B BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 4.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 99nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT090N06B BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 11A, Pulsed drain current: 68A, Power dissipation: 4.8W, Case: SOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 12mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 99nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BXT090N06B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXT090N06B | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 68A; 4.8W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 4.8W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 99nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |