BXT600P03M

BXT600P03M BRIDGELUX


BXT600P03M.pdf Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+4.08 грн
120+ 3.41 грн
320+ 2.6 грн
860+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BXT600P03M BRIDGELUX

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23-3, Drain current: -2.7A, On-state resistance: 85mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.51W, Gate charge: 6.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -16.4A, Drain-source voltage: -30V, кількість в упаковці: 20 шт.

Інші пропозиції BXT600P03M за ціною від 2.85 грн до 4.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BXT600P03M BXT600P03M Виробник : BRIDGELUX BXT600P03M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+4.9 грн
100+ 4.25 грн
320+ 3.12 грн
860+ 2.95 грн
12000+ 2.85 грн
Мінімальне замовлення: 60