BXT600P03M BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-3
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.51W
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16.4A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 4.08 грн |
120+ | 3.41 грн |
320+ | 2.6 грн |
860+ | 2.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXT600P03M BRIDGELUX
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: SOT23-3, Drain current: -2.7A, On-state resistance: 85mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 1.51W, Gate charge: 6.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -16.4A, Drain-source voltage: -30V, кількість в упаковці: 20 шт.
Інші пропозиції BXT600P03M за ціною від 2.85 грн до 4.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BXT600P03M | Виробник : BRIDGELUX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -16.4A; 1.51W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SOT23-3 Drain current: -2.7A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.51W Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16.4A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|