BXW18M1K2H BRIDGELUX
Виробник: BRIDGELUXCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W
Technology: SiC
Case: TO247-3
Mounting: THT
On-state resistance: 345mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 96.9W
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -3...20V
Pulsed drain current: 72A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 18A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BXW18M1K2H BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W, Technology: SiC, Case: TO247-3, Mounting: THT, On-state resistance: 345mΩ, Kind of package: tube, Power dissipation: 96.9W, Gate charge: 44nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -3...20V, Pulsed drain current: 72A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 18A, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 100 шт.
Інші пропозиції BXW18M1K2H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXW18M1K2H | Виробник : BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 72A; 96.9W Technology: SiC Case: TO247-3 Mounting: THT On-state resistance: 345mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 96.9W Gate charge: 44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -3...20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 18A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товар відсутній |