BYG10GHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division


byg10.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1800+9.68 грн
3600+ 8.58 грн
5400+ 8.23 грн
9000+ 6.95 грн
Мінімальне замовлення: 1800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BYG10GHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BYG10GHE3_A/H за ціною від 12.87 грн до 33.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BYG10GHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.05 грн
12+ 24.63 грн
100+ 14.81 грн
500+ 12.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
BYG10GHE3_A/H Виробник : Vishay byg10.pdf Rectifier Diode Switching 400V 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R
товар відсутній
BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/H Виробник : VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor byg10.pdf Rectifiers 1.5A,400V,STD,AVAL AEC-Q101 Qualified
товар відсутній
BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/H Виробник : VISHAY byg10.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1.5A; 4us; SMA; Ufmax: 1.15V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1.5A
Reverse recovery time: 4µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 10µA
Kind of package: reel; tape
товар відсутній