BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7500+ | 6.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції BYG10M-E3/TR3 за ціною від 6.04 грн до 26.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYG10M-E3/TR3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V |
на замовлення 11983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYG10M-E3/TR3 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.5 Amp 1000 Volt |
на замовлення 10227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYG10M-E3/TR3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BYG10M-E3/TR3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 4000ns 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BYG10M-E3/TR3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 4µs кількість в упаковці: 7500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BYG10M-E3/TR3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 4us; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.15V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; glass passivated Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Case: DO214AC; SMA Max. forward voltage: 1.15V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 4µs |
товар відсутній |