BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 µs
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 27.87 грн |
13+ | 22.57 грн |
100+ | 15.68 грн |
500+ | 11.49 грн |
1000+ | 9.34 грн |
2000+ | 8.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG10YHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AC, SMA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 4 µs, Technology: Avalanche, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Supplier Device Package: DO-214AC (SMA), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BYG10YHE3_A/I за ціною від 7.53 грн до 30.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1600V Vrrm; 1.5A If DO-214AC (SMA) |
на замовлення 7413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1.6KV 1.5A 4000ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYG10YHE3_A/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 µs Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1600 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |