BYM10-50HE3/96 Vishay General Semiconductor
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.66 грн |
| 11+ | 28.64 грн |
| 100+ | 16.91 грн |
| 500+ | 12.72 грн |
| 1000+ | 9.52 грн |
| 1500+ | 8.39 грн |
| 9000+ | 8.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM10-50HE3/96 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V.
Інші пропозиції BYM10-50HE3/96
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BYM10-50HE3/96 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 50V 1A Automotive 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
|
 |
BYM10-50HE3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товар відсутній |