BYM11-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 500 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 8.23 грн |
| 3000+ | 7.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYM11-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 500 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V.
Інші пропозиції BYM11-800-E3/96 за ціною від 6.19 грн до 30.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BYM11-800-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V |
на замовлення 4283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYM11-800-E3/96 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt |
на замовлення 4579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BYM11-800-E3/96 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
BYM11-800-E3/96 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
BYM11-800-E3/96 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R |
товар відсутній |