BYV29FD-600,118 WeEn Semiconductors
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 24.27 грн |
5000+ | 22.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYV29FD-600,118 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FD-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.9V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BYV29FD-600,118 за ціною від 20.54 грн до 70.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYV29FD-600,118 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FD-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Description: DIODE GEN PURP 600V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 9A Supplier Device Package: DPAK Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
на замовлення 11423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductors | Rectifiers ENHANCED ULTRAFAST POWER DIODE |
на замовлення 7308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | Виробник : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - BYV29FD-600,118 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 9 A, Einfach, 1.9 V, 35 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.9V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 9A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited | Rectifier Diode Switching 600V 9A 35ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; DPAK; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 91A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 91A Case: DPAK Max. forward voltage: 1.25V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BYV29FD-600,118 | Виробник : WeEn Semiconductors |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 9A; DPAK; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 91A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 9A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 91A Case: DPAK Max. forward voltage: 1.25V |
товар відсутній |