Продукція > WOLFSPEED > C3M0032120J1
C3M0032120J1

C3M0032120J1 Wolfspeed

c3m0032120j1.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1928.97 грн
10+ 1778.3 грн
25+ 1745.71 грн
50+ 1654.72 грн
100+ 1399.57 грн
500+ 1310.06 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0032120J1 Wolfspeed

Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V, Power Dissipation (Max): 277W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції C3M0032120J1 за ціною від 1349.17 грн до 3157.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0032120J1 C3M0032120J1 Виробник : Wolfspeed c3m0032120j1.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2073.84 грн
10+ 1881.16 грн
25+ 1839.87 грн
50+ 1738.54 грн
100+ 1447.43 грн
500+ 1349.17 грн
C3M0032120J1 C3M0032120J1 Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0032120J1_data_sheet.pdf Description: 1200V 32MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 41.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 11.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3424 pF @ 1000 V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2414.24 грн
50+ 1927.06 грн
100+ 1806.63 грн
C3M0032120J1 C3M0032120J1 Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0032120J1_data_sheet.pdf MOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2621.72 грн
10+ 2296.35 грн
25+ 1862.64 грн
50+ 1805.23 грн
100+ 1746.48 грн
250+ 1629.64 грн
500+ 1498.79 грн
C3M0032120J1 Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0032120J1_data_sheet.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+2077.35 грн
10+ 1915.1 грн
25+ 1879.99 грн
50+ 1782.01 грн
100+ 1507.23 грн
500+ 1410.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1 Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0032120J1_data_sheet.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+2233.37 грн
10+ 2025.87 грн
25+ 1981.4 грн
50+ 1872.28 грн
100+ 1558.77 грн
500+ 1452.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
C3M0032120J1 Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0032120J1_data_sheet.pdf 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+3157.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
C3M0032120J1 Виробник : Wolfspeed c3m0032120j1.pdf C3M0032120J1
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)