C3M0040120D Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
Description: 1200V 40MOHM SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 326W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1801.83 грн |
30+ | 1438.29 грн |
120+ | 1348.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C3M0040120D Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: C3M Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції C3M0040120D за ціною від 910.51 грн до 2083.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C3M0040120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C3M0040120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: C3M Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed | MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-3, Industrial |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed | C3M0040120D |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed | 1200V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics applications |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
C3M0040120D Код товару: 198825 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
C3M0040120D | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |