Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3M0040120J1-TR
C3M0040120J1-TR

C3M0040120J1-TR Wolfspeed, Inc.

C3M0040120J1.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1224.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0040120J1-TR Wolfspeed, Inc.

Description: 1200V 40 M SIC MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V, Power Dissipation (Max): 272W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції C3M0040120J1-TR за ціною від 1118.92 грн до 1956.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0040120J1-TR C3M0040120J1-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. C3M0040120J1.pdf Description: 1200V 40 M SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53.5mOhm @ 33.3A, 15V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 9.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 1000 V
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1846.61 грн
10+ 1580.3 грн
100+ 1382.13 грн
C3M0040120J1-TR C3M0040120J1-TR Виробник : Wolfspeed C3M0040120J1.pdf MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1956.55 грн
10+ 1713.63 грн
25+ 1389.97 грн
50+ 1346.58 грн
100+ 1303.18 грн
250+ 1216.39 грн
500+ 1118.92 грн
C3M0040120J1-TR Виробник : Wolfspeed c3m0040120j1.pdf C3M0040120J1-TR
товар відсутній