Продукція > WOLFSPEED > C3M0120090D
C3M0120090D

C3M0120090D Wolfspeed

c3m0120090d.pdf Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+468.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0120090D Wolfspeed

Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0120090D за ціною від 379.11 грн до 940.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed c3m0120090d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+677.64 грн
10+ 627.95 грн
25+ 617.44 грн
50+ 590.5 грн
100+ 477.24 грн
500+ 379.11 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+783.38 грн
2+ 556.34 грн
4+ 525.75 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 120mOhm
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+817.05 грн
10+ 713.24 грн
30+ 550.78 грн
120+ 532.76 грн
270+ 486.02 грн
510+ 466.66 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 900V 23A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+817.5 грн
30+ 637.29 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : WOLFSPEED Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf Description: WOLFSPEED - C3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+850.78 грн
5+ 775.89 грн
10+ 700.24 грн
50+ 592.51 грн
100+ 530.24 грн
250+ 498.78 грн
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120090D-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 97W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17.3nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 24ns
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 23A
On-state resistance: 0.12Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+940.05 грн
2+ 693.29 грн
4+ 630.89 грн
C3M0120090D Виробник : CREE Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf N-MOSFET 900V 23A C3M0120090D Cree/Wolfspeed TC3M0120090D
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+460.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
C3M0120090D
Код товару: 165992 		Wolfspeed_C3M0120090D_data_sheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
C3M0120090D Виробник : Wolfspeed c3m0120090d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
C3M0120090D C3M0120090D Виробник : Wolfspeed c3m0120090d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній