Продукція > WOLFSPEED(CREE) > C3M0120100J
C3M0120100J

C3M0120100J Wolfspeed(CREE)

C3M0120100J.pdf Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+788.62 грн
2+ 594.59 грн
4+ 561.91 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0120100J Wolfspeed(CREE)

Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0120100J за ціною від 648.92 грн до 1208.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0120100J C3M0120100J Виробник : Wolfspeed(CREE) C3M0120100J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 21.5nC
Technology: C3M™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -8...19V
Mounting: SMD
Case: D2PAK-7
Reverse recovery time: 16ns
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 22A
On-state resistance: 0.12Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+946.34 грн
2+ 740.95 грн
4+ 674.29 грн
C3M0120100J C3M0120100J Виробник : MACOM Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1097.44 грн
10+ 953.55 грн
25+ 822.5 грн
50+ 809.15 грн
100+ 715.68 грн
250+ 709.67 грн
500+ 648.92 грн
C3M0120100J C3M0120100J Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1000V 22A D2PAK-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 600 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1128.76 грн
50+ 879.86 грн
100+ 828.1 грн
C3M0120100J C3M0120100J Виробник : Wolfspeed Wolfspeed_C3M0120100J_data_sheet.pdf MOSFET 1000V 120mOhm G3 SiC MOSFET TO-263-7
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1208.82 грн
10+ 1113.24 грн
25+ 954.02 грн
50+ 838.52 грн
100+ 789.12 грн
250+ 775.77 грн
500+ 715.01 грн
C3M0120100J Виробник : Wolfspeed c3m0120100j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1KV 22A Automotive 8-Pin(7+Tab) D2PAK
товар відсутній