Продукція > WOLFSPEED, INC. > C3M0280090J-TR
C3M0280090J-TR

C3M0280090J-TR Wolfspeed, Inc.

C3M0280090J.pdf Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+340.7 грн
1600+ 295.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис C3M0280090J-TR Wolfspeed, Inc.

Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +18V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V.

Інші пропозиції C3M0280090J-TR за ціною від 265.71 грн до 540.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
C3M0280090J-TR C3M0280090J-TR Виробник : Wolfspeed C3M0280090J-2935330.pdf MOSFET G3 SiC MOSFET/ Reel 900V, 280 mOhm
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+477.45 грн
10+ 403.07 грн
25+ 317.78 грн
100+ 292.41 грн
250+ 275.06 грн
500+ 265.71 грн
C3M0280090J-TR C3M0280090J-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. C3M0280090J.pdf Description: SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 7.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +18V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 600 V
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+540.91 грн
10+ 446.19 грн
100+ 371.83 грн
C3M0280090J-TR Виробник : Wolfspeed c3m0280090j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 11A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній