CAS300M12BM2 Wolfspeed
на замовлення 87 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 64570.07 грн |
10+ | 63513.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CAS300M12BM2 Wolfspeed
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Screw Terminals, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1660W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19500pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 300A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1025nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ), Supplier Device Package: Module, Part Status: Not For New Designs.
Інші пропозиції CAS300M12BM2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
CAS300M12BM2 | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 423A 7-Pin Box |
товар відсутній |
||
CAS300M12BM2 | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 423A 7-Pin Box |
товар відсутній |
||
CAS300M12BM2 | Виробник : Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 423A 7-Pin Box |
товар відсутній |
||
CAS300M12BM2 | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 285A; Half-Bridge Module Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 285A Case: Half-Bridge Module Topology: MOSFET half-bridge Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 5mΩ Pulsed drain current: 1.5kA Power dissipation: 1.66kW Technology: C2M™; SiC; Z-Rec® Gate-source voltage: -5...20V Operating temperature: -40...125°C Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
CAS300M12BM2 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module, Screw Terminals Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1660W Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19500pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 300A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1025nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15mA (Typ) Supplier Device Package: Module Part Status: Not For New Designs |
товар відсутній |
||
CAS300M12BM2 | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 285A; Half-Bridge Module Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 285A Case: Half-Bridge Module Topology: MOSFET half-bridge Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 5mΩ Pulsed drain current: 1.5kA Power dissipation: 1.66kW Technology: C2M™; SiC; Z-Rec® Gate-source voltage: -5...20V Operating temperature: -40...125°C Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |