Продукція > MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS > CGHV1F006S
CGHV1F006S

CGHV1F006S MACOM Technology Solutions

Виробник: MACOM Technology Solutions
Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 950mA
Frequency: 6GHz
Power - Output: 8W
Gain: 16dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 12-DFN (4x3)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 60 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4363.4 грн
10+ 3946.84 грн
25+ 3819.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CGHV1F006S MACOM Technology Solutions

Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad, Current Rating (Amps): 950mA, Frequency: 6GHz, Power - Output: 8W, Gain: 16dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: 12-DFN (4x3), Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 40 V, Current - Test: 60 mA.

Інші пропозиції CGHV1F006S за ціною від 5101.72 грн до 5101.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CGHV1F006S Виробник : M/A-COM Technology Solutions Trans RF MOSFET N-CH 120V 0.95A 12-Pin DFN EP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+5101.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
CGHV1F006S CGHV1F006S Виробник : MACOM Technology Solutions Description: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-VFDFN Exposed Pad
Current Rating (Amps): 950mA
Frequency: 6GHz
Power - Output: 8W
Gain: 16dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: 12-DFN (4x3)
Voltage - Rated: 100 V
Voltage - Test: 40 V
Current - Test: 60 mA
товар відсутній
CGHV1F006S CGHV1F006S Виробник : MACOM RF JFET Transistors GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
товар відсутній