Технічний опис CGHV60170D-GP4 CREE
Description: RF MOSFET HEMT 50V DIE, Packaging: Tray, Package / Case: Die, Frequency: 6GHz, Power - Output: 170W, Gain: 17dB, Technology: HEMT, Supplier Device Package: Die, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 260 mA.
Інші пропозиції CGHV60170D-GP4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
CGHV60170D-GP4 | Виробник : MACOM Technology Solutions |
Description: RF MOSFET HEMT 50V DIE Packaging: Tray Package / Case: Die Frequency: 6GHz Power - Output: 170W Gain: 17dB Technology: HEMT Supplier Device Package: Die Voltage - Rated: 150 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 260 mA |
товар відсутній |
|
 |
CGHV60170D-GP4 | Виробник : MACOM | RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt |
товар відсутній |