CLF1G0060S-10U

CLF1G0060S-10U NXP Semiconductors


CLF1G0060-10_1G0060S-10-527548.pdf Виробник: NXP Semiconductors
RF JFET Transistors Broadband RF power GaN HEMT
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CLF1G0060S-10U NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT1227B, Packaging: Tray, Package / Case: SOT-1227B, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3GHz ~ 3.5GHz, Power - Output: 10W, Gain: 14.5dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: SOT1227B, Voltage - Rated: 150 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 50 mA.

Інші пропозиції CLF1G0060S-10U

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CLF1G0060S-10U CLF1G0060S-10U Виробник : Ampleon 24591468587822clf1g0060-10_1g0060s-10.pdf Trans RF FET N-CH 150V GaN 3-Pin CDFM Bulk
товар відсутній
CLF1G0060S-10U CLF1G0060S-10U Виробник : Ampleon USA Inc. CLF1G0060-10_1G0060S-10.pdf Description: RF MOSFET GAN HEMT 50V SOT1227B
Packaging: Tray
Package / Case: SOT-1227B
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3GHz ~ 3.5GHz
Power - Output: 10W
Gain: 14.5dB
Technology: GaN HEMT
Supplier Device Package: SOT1227B
Voltage - Rated: 150 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 50 mA
товар відсутній