Продукція > TEXAS INSTRUMENTS > CSD16321Q5T
CSD16321Q5T

CSD16321Q5T Texas Instruments

csd16321q5.pdf Виробник: Texas Instruments
Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+92.02 грн
500+ 77.54 грн
Мінімальне замовлення: 250
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис CSD16321Q5T Texas Instruments

Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Vgs (Max): +10V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V.

Інші пропозиції CSD16321Q5T за ціною від 57.46 грн до 148.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
CSD16321Q5T CSD16321Q5T Виробник : Texas Instruments csd16321q5.pdf Description: 25-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 8V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V
Vgs (Max): +10V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 12.5 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.75 грн
10+ 117.45 грн
25+ 110.77 грн
100+ 88.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5T CSD16321Q5T Виробник : Texas Instruments csd16321q5.pdf MOSFET 25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.72 грн
10+ 122.29 грн
100+ 87.85 грн
250+ 73.98 грн
500+ 70.01 грн
1000+ 60.5 грн
2500+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
CSD16321Q5T Виробник : Texas Instruments csd16321q5.pdf 25-V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5T Виробник : Texas Instruments csd16321q5.pdf 25-V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
CSD16321Q5T Виробник : Texas Instruments slps220.pdf CSD16321Q5T
товар відсутній