CSD16407Q5 Texas Instruments
Виробник: Texas InstrumentsDescription: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 50.25 грн |
| 5000+ | 46.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис CSD16407Q5 Texas Instruments
Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V.
Інші пропозиції CSD16407Q5 за ціною від 46.76 грн до 120.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
CSD16407Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Description: MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA Supplier Device Package: 8-VSONP (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2660 pF @ 12.5 V |
на замовлення 5527 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
CSD16407Q5 | Виробник : Texas Instruments |
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
на замовлення 5795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Виробник : TI |
|
на замовлення 2235 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| CSD16407Q5 | Виробник : TI |
0950+ QFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
CSD16407Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
CSD16407Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
CSD16407Q5 | Виробник : Texas Instruments |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON EP T/R |
товар відсутній |